就目前市面上使用的燈泡光源，我們來做個對比：

1、白熾燈和鹵鎢燈,其光效為12～24流明／瓦；

2、熒光燈和HID燈的光效為50～120流明／瓦；

3、led防爆燈預計可達到250流明/瓦,目前可以110流明/瓦,并成功應用與實踐中。

從這些數值上我們可以看到，如果條件允許的話，光源的光效還可以更高。可以不斷的向100%光效無限靠近，直至達到100%。

目前，能提高發光效率且比較可行的方法有：

1、led防爆燈激光剝離技能（LLO）：     

激光剝離技能（LLO）是使用激光能量分化GaN/藍寶石接口處的GaN緩沖層，然后完成led外延片從藍寶石襯底別離。技能長處是外延片轉移到高熱導率的熱沉上，可以改善大尺度芯片中電流擴大。n面為出光面：發光面積增大，電極擋光小，便于制備微布局，并且削減刻蝕、磨片、劃片。更重要的是藍寶石襯底可以重復運用。 

2、led防爆燈芯片鍵合技能：     

光電子器材對所需求的資料在功能上有必定的需求，一般都需求有大的帶寬差和在資料的折射指數上要有很大的改變。可憐的是，一般沒有天然的這種資料。用同質外延成長技能一般都不能構成所需求的帶寬差和折射指數差，而用一般的異質外延技能，如在硅片上外延GaAs和InP等，不只本錢較高，并且聯系接口的位錯密度也十分高，很難構成高質量的光電子集成器材。因為低溫鍵合技能可以大大削減不一樣資料之間的熱失配疑問，削減應力和位錯，因而能構成高質量的器材。跟著對鍵合機理的逐步知道和鍵合制程技能的逐步老練，多種不一樣資料的芯片之間現已可以完成相互鍵合，然后能夠構成一些特別用處的資料和器材。 

3、led防爆燈通明襯底技能：     

InGaAlP led顯示屏一般是在GaAs襯底上外延成長InGaAlP發光區GaP窗口區制備而成。與InGaAlP比較，GaAs資料具有小得多的禁帶寬度，因而，當短波長的光從發光區與窗口外表射入GaAs襯底時，將被全部吸收，變成器材出光功率不高的主要原因。在襯底與約束層之間成長一個布喇格反射區，能將筆直射向襯底的光反射回發光區或窗口，有些改善了器材的出光特性。一個更為有用的辦法是先去掉GaAs襯底，代之于全通明的GaP晶體。 

4、led防爆燈外表微布局技能 ：

外表微布局制程是進步器材出光功率的又一個有用技能，該技能的根本關鍵是在芯片外表刻蝕很多尺度為光波長量級的小布局，每個布局呈截角四面體狀，如此不光擴大了出光面積，并且改變了光在芯片外表處的折射方向，然后使透光功率明顯進步。丈量指出，關于窗口層厚度為20μm的器材，出光功率可增加30％。當窗口層厚度減至10μm時，出光功率將有60％的改善。

當然，我們還是很期待led防爆燈發光效率真正的能達到100%，這樣不僅節能，還環保！